Часть 1
«Физические основы»
Москва
МГУПИ 2008 год
621.3
УДК 621.382 Утверждено Ученым Советом
в качестве учебного пособия
Физические основы и
технология электронных средств
Учебное пособие
М. Изд. МГАПИ, 2008
Под редакцией
проф. Рыжикова И.В.
Учебное пособие содержит краткий материал по физическим основам процессов формирования свойств электронных средств.
Пособие предназначено для преподавателей, инженерно-технических работников и студентов различных специальностей
______________________________
@ Московская государственная академия приборостроения и информатики, 2005
- Часть 1
- 1. Энергетический спектр носителей заряда
- 1.1. Зонная структура энергетического спектра носителей заряда
- 1.2.Заполнение зон. Эффективная масса носителей заряда
- 1.3. Локальные уровни в запрещенной зоне
- 1.4. Дефекты в кристаллах
- 2. Статистика носите лей заряда в твердом теле
- 2.1.Функция распределения Максвелла— Больцмана
- 2.2.Функция распределения Бозе - Эйнштейна
- 2.3.Функция распределения Ферми—Дирака
- На рис.2.4. Для сравнения приведены различные кривые распределения электронов.
- 2.4. Концентрация носителей заряда
- 3. Неравновесные носители заряда в полупроводниках
- 3.1. Квазиуровни Ферми и время жизни неравновесных носителей заряда
- Скорость рекомбинации
- 3.3. Уравнение непрерывности
- 3.4. Соотношения Эйнштейна и диффузионная длина
- 4.1. Контакт мегалл-полупроводник
- 4.2. Контакт полупроводников n и p типа.
- 4.3. Контакт полупроводников n-p-n и p-n-p типа Транзисторные переходы
- 4.4. Полупроводниковые сверхрешетки
- 4.5. Структура металл-диэлектрик-полупроводник.
- 1. Энергетический спектр носителей заряда
- Зонная структура энергетического спектра носителей заряда